MOSFET 的衬偏效应 体效应 作者Xie M. X. (UESTC成都市) MOSFET 的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的 p-n 结——场感应结。一旦出现了沟道则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大并保持不再变化(栅电压不再能够改变耗尽层厚度)。 (1) 什么是衬偏效应 对于 MOS-IC 而言在电路工作时其中各个 MOSFET 的衬底电位是时刻变化着的如果对器件衬底的电位不加以控制的话那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结正偏的现象一旦发生这种现象时器件和电路即告失效。所...

　　MOSFET 的衬偏效应 体效应 作者Xie M. X. (UESTC成都市) MOSFET 的工作是通过在半导体表面产生导电沟道表面反型层来进行的因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的 p-n 结场感应结。一旦出现了沟道则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大并保持不再变化(栅电压不再能够改变耗尽层厚度)。 (1) 什么是衬偏效应 对于 MOS-IC 而言在电路工作时其中各个 MOSFET 的衬底电位是时刻变化着的如果对器件衬底的电位不加以控制的话那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结正偏的现象一旦发生这种现象时器件和电路即告失效。所以对于 IC 中的 MOSFET需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压衬偏电压以保证器件始终能够正常工作。简言之衬偏电压就是为了防止 MOSFET 的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。 由于加上了衬偏电压的缘故将要引起若干影响器件性能的现象和问题这就是衬偏效应衬偏调制效应又称为 MOSFET 的体效应。 这种衬偏电压的作用实际上就相当于是一个 JFET 的功能沟道-衬底的场感应 p-n 结作为栅极控制着输出电流 IDS 的大小。所以对于加有衬偏电压的 MOSFET从工作本质上来说可看成是由一个 MOSFET 和一个 JFET 并联而成的器件只不过其中 JFET 的作用在此特别称为 MOSFET 的体效应而已。这就是说加上衬偏电压也就相当于引入了一个额外的 JFET。 (2) 衬偏效应对器件性能的影响 ①MOSFET 在出现沟道反型层以后虽然沟道下面的耗尽层厚度达到了最大这时栅极电压即使再增大耗尽层厚度也不会再增大但是衬偏

　　2017年中国人民大学经济学院802经济学综合之西方经济学（宏观部分）考研导师圈点必考题汇编

　　2017年中国地质大学（武汉）经济管理学院900西方经济学之西方经济学（宏观部分）考研题库

　　2017年中国人民大学马克思主义学院802经济学综合之政治经济学考研强化模拟题

　　2017年西安财经学院经济学院431金融学综合[专业硕士]之国际金融新编考研强化模拟题

　　2017年华南师范大学文学院445汉语国际教育基础[专业硕士]之对外汉语教育学引论考研题库

　　2017年福建师范大学生命科学学院338生物化学[专业硕士]之普通生物化学考研题库

　　2017年吉首大学马克思主义政治经济学（同等学力加试）复试仿真模拟三套题