衬偏调制效应 MOSFET 的衬偏调制效应也就是所谓 MOSFET衬偏效应、或者 MOSFET 的体效应。 因为 MOSFET 是依靠沟道来导电的而沟道与衬底之间即形成一个所谓场感应 pn 结。在 MOSFET 及其 IC 工作时该场感应 pn 结应该始终存在才是合理的。而对于 MOS-IC 而言在电路工作时其中各个 MOSFET 的衬底电位是时刻变化着的如果对器件衬底的电位不加以控制的话那么就有可能会出现场感应 pn 结以及源-衬底 pn 结发生正偏的现象一旦出现这种情况时器件和电路即告失效。所以对于 IC 中的 MOSFET就需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向...
衬偏调制效应 MOSFET 的衬偏调制效应也就是所谓 MOSFET衬偏效应、或者 MOSFET 的体效应。 因为 MOSFET 是依靠沟道来导电的而沟道与衬底之间即形成一个所谓场感应 pn 结。在 MOSFET 及其 IC 工作时该场感应 pn 结应该始终存在才是合理的。而对于 MOS-IC 而言在电路工作时其中各个 MOSFET 的衬底电位是时刻变化着的如果对器件衬底的电位不加以控制的话那么就有可能会出现场感应 pn 结以及源-衬底 pn 结发生正偏的现象一旦出现这种情况时器件和电路即告失效。所以对于 IC 中的 MOSFET就需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压衬偏电压。简言之衬偏电压就是为了防止 MOSFET 的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压。 但是由于加上了衬偏电压的缘故就将要引起若干影响器件性能的现象和问题这就是衬偏调制效应衬偏效应又称为 MOSFET 的体效应。 这种衬偏电压的作用实际上就相当于是一个 JFET 的功能沟道-衬底的场感应 p-n 结作为栅极控制着输出电流的大小这也就是“衬偏调制”的含义。所以对于加有衬偏电压的 MOSFET从工作本质上来说可看成是由一个 MOSFET 和一个 JFET 并联而成的器件只不过其中 JFET 的作用在此特别称为 MOSFET 的体效应而已。这就是说加上衬偏电压也就相当于引入了一个额外的 JFET。 衬偏效应对器件性能的影响 ①MOSFET 在出现沟道反型层以后虽然沟道下面的耗尽层厚度达到了最大这时栅极电压即使再增大耗尽层厚度也不会再增大但是衬偏电压是直接加在源-衬底之间的反向电压它可以使场感应结的耗尽层厚度进一步展宽并引起其中的空间电荷面密度增加从而导致器件的阈值电压 VT升高。而阈值电压的升高又将进一步影响到器件的 IDS 及其整个的性能例如栅极跨导降低等。衬底掺杂浓度越高衬偏电压所引起的空间电荷面密度的增
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