我在仿真一个PMOS输入对管的折叠共源共栅结构运放的直流增益时，发现NMOS共栅管体电位的接法会显著影响运放的增益（相差十倍）。

　　但是按照我的推论，运放的增益等于输入管的跨导gm乘以输出阻抗Rout，输入管的跨导不会变化，而输出阻抗Rout按照拉扎维（西交翻译版）书上71页的推导也不会有很大的变化，Rout=[1+(gm2+gmb2)*ro2]*ro1+ro2。衬偏效应会影响MOS本身的跨导，我看了管子的工作状态，在有衬偏效应时gm+gmb，与没有衬偏效应是的gm基本相等。按照我上面的考虑，应该对直流增益不会有很大的影响。

　　1.我上面的推导做了很多的简化，是不是有什么重要的因素我没考虑到，才造成推论和仿线.Cadence仿真中看管子的工作状态时，gds和ron这两个参数什么关系?

　　多谢回复如果应该没什么影响的话，有可能是我的工作点设置有问题，我再检查一下

　　影响主要是由于Vth变化吧 因为 VBS 不再是0了 这样的话 你的上面的NMOS的 VGS－Vth 就变化比较大 直流偏置点不一样了 是有可能增益变化很大的

　　多谢回复另外我想请教一下，同一个管子gds和ron的关系。我一直以为这两个参数是互为倒数的关系，但是我在做瞬态仿真看管子的工作状态时，这两个参数的乘积并不是1，而且会随着直流工作点的变化而变化。

　　gds是管子小信号输出阻抗的倒数；ron是管子大信号导通电阻。ro=1/gds，我之前把ro和ron两个参数搞混了。

　　申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。

　　下一篇：我是一名在校研究生，想从事模拟IC设计方面的工作，想请教大家几个问题

　　射频工程师养成培训课程套装，专家授课，让您快速成为一名优秀的射频工程师【More..】