一.什么是衬偏效应？MOSFET的工作是通过在半导体表面产生导电沟道——表面反型层来进行的，因此器件中存在一个由栅极电压所诱生出来的p-n结——场感应结。一旦出现了沟道，则沟道以内的耗尽层厚度即达到最大，并保持不再变化(不随栅极电压而变化)。而对于MOS-IC而言，在工作时，其中各个MOSFET的衬底电位是时刻变化着的，若对器件衬底的电位不加以控制的话，那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象；一旦发生这种现象时，器件和电路的沟道导电作用即告失效。所以，对于IC中的MOSFET，需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压，以使得场感应结始终保持为反偏状态，该所加的电压就称为衬偏